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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L (Sun L.);  Zhang L (Zhang L.);  Yu HJ (Yu H. J.);  Guo L (Guo L.);  Ma JL (Ma J. L.);  Zhang J (Zhang J.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Laser Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunlu2446@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Huang QS;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Kang JY;  Huang QS;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Precipitate  Gan  Wds  Tem  Cathodoluminescence  Vapor-phase Epitaxy  Films  Mechanism  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Niu ZC;  Wang H;  Feng SL;  Wang XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han PD;  　 (　)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Li HX;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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