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| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 闫俊达 Adobe PDF(5390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3361/67  |  提交时间:2017/06/05 氮化镓 异质结构 二维空穴气 二维电子气 高电子迁移率晶体管 |
| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 李巍 Adobe PDF(3778Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1058/58  |  提交时间:2017/06/05 氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结二维电子气输运特性研究 学位论文 , 北京: 清华大学, 2014 作者: 金东东 Adobe PDF(6195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1315/66  |  提交时间:2014/06/05 异质结 二维电子气 输运 散射 Ⅲ-ⅴ族半导体 |
| 具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 彭恩超 Adobe PDF(8944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1461/92  |  提交时间:2014/06/05 氮化镓 异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 背势垒 |
| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 毕杨 Adobe PDF(3974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1785/184  |  提交时间:2012/05/30 氮化镓 铟铝氮 二维电子气 高电子迁移率晶体管 短沟道效应 |