| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 | |
| 毕杨 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王晓亮 研究员 |
| 2012 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | 氮化镓 铟铝氮 二维电子气 高电子迁移率晶体管 短沟道效应 |
| 学科领域 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2012-05-30 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22937 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕杨. GaN 基 HEMT材料的新结构研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2012. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GaN基HEMT材料的新结构研究.pdf（3974KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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