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| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 魏鸿源; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| ZnO 薄膜生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 张攀峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: CAI Fangfang; WEI Hongyan; FAN Haibo; YANG Anli; ZHANG Panfeng; LIU Xianglin
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| 氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张攀峰; 丛伟光; 魏鸿源; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang RQ (Zhang Riqing); Zhang PF (Zhang Panfeng); Kang TT (Kang Tingting); Fan HB (Fan Haibo); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Wei HY (Wei Hongyuan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang, Zhanguo); Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn; xlliu@red.semi.ac.cn
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| 一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张攀峰; 吴洁君; 胡卫国; 刘祥林
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| 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 谢海忠; 郭恩卿; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽
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