| 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 | |
| 纪攀峰; 谢海忠; 郭恩卿; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2014-12-24 |
| 申请号 | CN201410816561.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27265 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪攀峰,谢海忠,郭恩卿,等. 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作（603KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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