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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR (Sheng Shuran);  Hao HY (Hao Huiying);  Diao HW (Diao Hongwei);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Xu Y (Xu Ying);  Liao XB (Liao Xianbo);  Monchesky TL (Monchesky Theodore L.);  Sheng, SR, Dalhousie Univ, Dept Phys & Atmospher Sci, Halifax, NS B3H 3J5, Canada. 电子邮箱地址: shuran.sheng@dal.ca
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙国胜;  王雷;  罗木昌;  赵万顺;  朱世荣;  李晋闽;  曾一平;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB;  Kong GL;  Wang YQ;  Sheng SR;  Liao XB;  Zhang SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Kong GL;  Sheng SR,Natl Res Council Canada,Inst Microstruct Sci,Ottawa,ON K1A 0R6,Canada.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙国胜;  罗木昌;  王雷;  朱世荣;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Kong GL;  Liao XB;  Sheng SR,Univ Calif Los Angeles,Dept Phys & Astron,405 Hilgard Ave,Los Angeles,CA 90095 USA.
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High quality hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL;  Sheng SR Chinese Acad Sci State Lab Surface Phys Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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A-si-h  Light Soaking  Photoconductivity  Increase  
High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films 会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:  Ma ZX;  Xiang XB;  Sheng SR;  Liao XB;  Shao CL;  Umeno M;  Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Raman-spectra  Silicon  Photoluminescence