中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. Luo;  H.M. Ji;  F. Gao;  F. Xu;  X.G. Yang;  P. Liang;  T. Yang
Adobe PDF(1839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：393/4  |  提交时间：2016/03/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. A. Tarasenko;  M. V. Durnev;  M. O. Nestoklon;  E. L. Ivchenko;  Jun-Wei Luo;  Alex Zunger
Adobe PDF(496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/1  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  F. Gao;  S. Luo;  H.M. Ji;  X.G. Yang;  P. Liang;  T. Yang
Adobe PDF(1607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：278/3  |  提交时间：2016/03/22
MOCVD 生长 InAs/InP 自组织量子点材料及激光器应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  罗帅
Adobe PDF(16261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1714/191  |  提交时间：2013/06/20
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1516/197  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Li, JM (Li, J. M.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(908Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1319/198  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxy  4h-sic  Multi-epilayer  Uv Detection  p(+)-pi-n(-)  Ultraviolet Photodetector  Epitaxial-growth  
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1459/273  |  提交时间：2010/03/29
Avalanche Photodiodes  Area  
生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1043/102  |  提交时间：2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：851/79  |  提交时间：2014/10/28
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/112  |  提交时间：2014/12/25