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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [4]
中国科学院半导体研究... [3]
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专利 [3]
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2010 [1]
2005 [1]
2003 [2]
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英语 [4]
中文 [3]
出处
APPLIED PH... [1]
CHINESE PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
资助项目
收录类别
SCI [4]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
;
Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: yding@ntu.edu.sg
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浏览/下载:1163/429
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, WZ
;
Ye, ZZ
;
Ma, DW
;
Lu, HM
;
Zhu, LP
;
Zhao, BH
;
Yang, XD
;
Xu, ZY
;
Ye, ZZ, Zhejiang Univ, State Key Lab Silicon Mat, Hangzhou 310027, Peoples R China. 电子邮箱地址: yezz@cmsce.zju.edu.cn
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浏览/下载:1364/383
  |  
提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma DW
;
Ye ZZ
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Wan SK
;
Sun XH
;
Wang ZG
;
Ma DW,Zhejiang Univ,State Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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浏览/下载:890/295
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ye ZZ,Zhejiang Univ,State Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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浏览/下载:1102/402
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提交时间:2010/08/12
具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
刘德伟
;
黄永光
;
朱小宁
;
王熙元
;
马丽
;
朱洪亮
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浏览/下载:1423/227
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提交时间:2012/09/09
具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
刘德伟
;
黄永光
;
朱小宁
;
王熙元
;
马丽
;
朱洪亮
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浏览/下载:1361/213
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提交时间:2012/09/09
广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
黄永光
;
朱小宁
;
刘德伟
;
王熙元
;
马丽
;
朱洪亮
Adobe PDF(469Kb)
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浏览/下载:1233/194
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提交时间:2012/09/09