| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法; 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 |
| 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构,包括：一n型硅衬底；一黑硅层,该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层,该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层,该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层,该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面,形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102280513A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110119980.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23478
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄永光,朱小宁,刘德伟,等. 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法, 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法. CN102280513A.
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