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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张曾; 张荣; 谢自力; 刘斌 ; 修向前; 李弋; 傅德颐; 陆海; 陈鹏; 韩平; 郑有炓; 汤晨光; 陈涌海; 王占国
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| On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者: Shou-Li Z; De-Ping X; Ya-Li I; Hai-Lin C; Yin-Zhe C; Ang M; Ji-He L; Jun-Hua G; Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
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Rce- P-i-n-pd |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邢益荣; 崔玉德; 殷士端; 张敬平; 李侠; 朱沛然; 徐田冰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李国华; 刘振先; 韩和相; 汪兆平; 汪德生; Ploog K
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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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