| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 | |
| 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2014-10-21 |
| 申请号 | CN201410563125.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27281 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法. |
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