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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Liu, Youhai
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Song, Haomin
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Bei, Zongmin
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Zhou, Lyu
;
Zhao, Chao
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Ooi, Boon S.
;
Gan, Qiaoqiang
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提交时间:2022/07/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Bo
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Wan, Zhong
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Wang, Cong
;
Chen, Peng
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Huang, Bevin
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Cheng, Xing
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Qian, Qi
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Li, Jia
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Zhang, Zhengwei
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Sun, Guangzhuang
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Zhao, Bei
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Ma, Huifang
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Wu, Ruixia
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Wei, Zhongming
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Liu, Yuan
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Liao, Lei
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Ye, Yu
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Huang, Yu
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Xu, Xiaodong
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Duan, Xidong
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Ji, Wei
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提交时间:2022/09/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
YU TONG ZHAO
;
BIAN WU
;
BEI JU HUANG
;
QIANG CHENG
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提交时间:2018/07/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Xing-Fang, Sun Guo-Sheng, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Guan Min, Zhang Yang, Zhang Feng, Dong Lin, Zheng Liu, Liu Sheng-Bei, Tian Li-Xin, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Zeng Yi-Ping
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
LIU Bin, SUN Guo-Sheng, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, DONG Lin, ZHENG Liu, YAN Guo-Guo, LIU Sheng-Bei, ZHAO Wan-Shun, WANG Lei, ZENG Yi-Ping, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei
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浏览/下载:379/76
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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提交时间:2014/03/26
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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提交时间:2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
曾一平
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提交时间:2014/10/31
碳化硅材料腐蚀炉
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
董林
;
孙国胜
;
赵万顺
;
王雷
;
刘兴昉
;
刘斌
;
张峰
;
闫果果
;
郑柳
;
刘胜北
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提交时间:2014/10/29