×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
纳米光电子实验室 [8]
光电子研究发展中心 [4]
集成光电子学国家重点... [2]
中科院半导体材料科学... [2]
作者
文献类型
专利 [14]
期刊论文 [2]
发表日期
2013 [2]
语种
中文 [8]
英语 [2]
出处
OPTICS EXP... [1]
OPTICS LET... [1]
资助项目
收录类别
SCI [2]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yejin
;
Qu, Hongwei
;
Wang, Hailing
;
Zhang, Siriguleng
;
Ma, Shaodong
;
Qi, Aiyi
;
Feng, Zhigang
;
Peng, Hongling
;
Zheng, Wanhua
Adobe PDF(498Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:829/262
  |  
提交时间:2013/09/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yejin
;
Qu, Hongwei
;
Wang, Hailing
;
Zhang, Siriguleng
;
Liu, Lei
;
Ma, Shaodong
;
Zheng, Wanhua
Adobe PDF(952Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:921/233
  |  
提交时间:2013/09/22
基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马绍栋
;
郑婉华
;
陈微
;
周文君
;
刘安金
;
彭红玲
Adobe PDF(360Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1587/271
  |  
提交时间:2011/08/31
基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马绍栋
;
付非亚
;
王宇飞
;
王海玲
;
彭红玲
;
郑婉华
Adobe PDF(488Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1246/262
  |  
提交时间:2012/09/09
一种铁电晶体材料的极化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
范学东
;
马传龙
;
王海玲
;
王宇飞
;
马绍栋
;
郑婉华
Adobe PDF(327Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1544/308
  |  
提交时间:2012/09/09
一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
彭红玲
;
渠宏伟
;
马绍栋
Adobe PDF(1058Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1764/287
  |  
提交时间:2012/09/09
一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
彭红玲
;
郑婉华
;
石岩
;
马绍栋
Adobe PDF(472Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1474/277
  |  
提交时间:2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
渠红伟
;
彭红玲
;
王海玲
;
马绍栋
Adobe PDF(574Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1353/324
  |  
提交时间:2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
范学东
;
马传龙
;
马绍栋
;
齐爱谊
Adobe PDF(392Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1484/304
  |  
提交时间:2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
马绍栋
;
齐爱谊
Adobe PDF(394Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1481/250
  |  
提交时间:2012/09/09