| 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法; 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 |
| 郑婉华; 彭红玲; 渠宏伟; 马绍栋
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102110595A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010595707.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23463
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑婉华,彭红玲,渠宏伟,等. 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法. CN102110595A.
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