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氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  马平;  刘波亭;  甄爱功;  郭仕宽;  纪攀峰;  王军喜;  李晋闽
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：643/6  |  提交时间：2016/09/22