| 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 | |
| 张烁; 马平; 郭仕宽; 刘波亭; 李晋闽; 王军喜 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2014-12-17 |
| 申请号 | CN201410785415.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27471 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张烁,马平,郭仕宽,等. 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法.（424KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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