Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 | |
| 韩根全; 曾玉刚; 余金中 | |
| 2009-03-04 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-08-29 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200710121073.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4313 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩根全,曾玉刚,余金中. 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法[P]. 2009-03-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200710121073.6.pdf（295KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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