SEMI OpenIR  > 光电子器件国家工程中心
分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法
张奇; 赵懿昊; 董振; 刘素平; 马骁宇
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2015-06-17
申请号CN201510338379.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27542
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张奇,赵懿昊,董振,等. 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法.
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分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀(294KB) 限制开放使用许可请求全文
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