| 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 | |
| 李晓静; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2014-11-17 |
| 申请号 | CN201410652524.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27466 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓静,赵德刚,江德生,等. 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的（402KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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