掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
吴艳华; 王飞飞; 胡发杰; 金鹏; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-12-23
申请号CN201410815582.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27446
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
吴艳华,王飞飞,胡发杰,等. 掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法.
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掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器(1762KB) 限制开放使用许可请求全文
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