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| HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 | |
| 庞蜜 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 吴晓光 |
| 2014-05 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 关键词 | Hgte/cdte 量子阱 Inas/gasb超晶格 Inas/gasb耦合量子阱 二维拓扑绝缘体 窄禁带半导体 电子态结构 磁光吸收谱 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2014-05-28 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25021 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞蜜. HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质[D]. 北京. 中国科学院大学,2014. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 毕业论文_庞蜜.pdf（11997KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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