| 发光二极管的制备方法; 发光二极管的制备方法 |
| 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延N型GaN薄膜；步骤2：在N型GaN薄膜上沉积掩膜；步骤3：通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片；步骤4：对基片进行清洗；步骤5：将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；步骤6：腐蚀去掉SiO2网格；步骤7：在P型GaN层上形成ITO层；步骤8：在ITO层上形成P电极；步骤9：在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102130230A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010610360.5
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23518
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙莉莉,闫建昌,王军喜. 发光二极管的制备方法, 发光二极管的制备方法. CN102130230A.
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