| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法; 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 |
| 郭恩卿; 伊晓燕 ; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓,完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102214743A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110152904.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23510
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郭恩卿,伊晓燕,汪炼成,等. 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法, 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法. CN102214743A.
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