| 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置; 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 | |
| 毛旭; 方志强; 杨晋玲; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-07 ; 2012-06-20 ; 2012-06-20 ; 2012-09-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置,该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组,其中：真空腔室,用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置,位于真空腔室内部的支架平台上,用于对待键合圆片提供键合压力,并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源,通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连,为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流,实现局域电阻加热；真空泵组,连接于真空腔室底部,用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置,结构紧凑,制作和组装简单,在高真空或可控惰性气体中完成键合,可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 申请日期 | 2011-11-03 |
| 专利号 | CN102502481A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110343625.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23340 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛旭,方志强,杨晋玲,等. 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置, 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置. CN102502481A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装（710KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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