| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 |
| 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN200910080069.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910080069.9
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22455
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
林孟喆,曹青,颜庭静,等. 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法. CN200910080069.9.
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