| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 |
| 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法,该方法包括:取一衬底,在衬底上生长一器件外延层;对器件外延层进行表面清洗;采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除;光刻,将光刻板上的图形转移到器件外延层上;在器件外延层的表面生长透明电极层;剥离、退火,使透明电极层发生反应,在透明电极层的表面形成高阻层;将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除;在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。 |
部门归属 | 纳米光电子实验室
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专利号 | CN200910080069.9
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN200910080069.9
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专利代理人 | 汤保平
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22455
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专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
林孟喆,曹青,颜庭静,等. 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法. CN200910080069.9.
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