| 垂直相变存储器及制备方法 |
| 张加勇; 王晓峰; 马慧莉 ; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一加热电极插塞柱，该加热电极插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内，并位于加热电极插塞柱之上；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010256828.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010256828.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22355
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 垂直相变存储器及制备方法. CN201010256828.5.
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