| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 |
| 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200810240351.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810240351.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22333
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张小宾,王晓亮,肖红领,等. p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法. CN200810240351.4.
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