| 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 |
| 王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法，包括：步骤1：在金属源化学气相沉积(MVPE)的生长气路上增加一路还原性气路；步骤2：将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟，并加入少量的去离子水或过氧化氢；步骤3：将清洗干净的衬底放入衬底托上；步骤4：生长之前对金属舟进行氧化处理；步骤5：生长掺杂氧化锌，在生长过程中一直开启还原性气路。本发明具有可控掺杂，且具有生长速度快，成本低等优点。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN201010141024.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010141024.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22303
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王晓峰,段垚,刘祯,等. 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法. CN201010141024.0.
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