| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 |
| 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN200910241697.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910241697.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22163
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
纪攀峰,李京波,闫建昌,等. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. CN200910241697.0.
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