| 氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法 |
| 邓懿; 赵德刚
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基紫外-红外双色探测器，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一紫外吸收层，该紫外吸收层制作在欧姆接触层上的一侧，该紫外吸收层的面积小于欧姆接触层的面积，在欧姆接触层的另一侧形成一台面；一红外吸收层，该红外吸收层制作在紫外吸收层上；一第一欧姆电极，该第一欧姆电极制作在红外吸收层上；一第二欧姆电极，该第二欧姆电极制作在欧姆接触层上的台面上。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010034282.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010034282.9
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21977
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邓懿,赵德刚. 氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法. CN201010034282.9.
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