制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法
	韩培德
	2010-08-12
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2010-03-03 ; 2010-08-12
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括:在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系;在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区，在环形波导表层构造横向p-i-n结构，并控制本征区i的宽度;向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子，并退火，形成深能级缺陷;在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明，使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测，并利用热效应来调节转换波长。
申请日期	2008-08-27
语种	中文
专利状态	实质审查的生效
申请号	CN200810118966.X
专利代理人	周国城:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13376
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. 制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法[P]. 2010-08-12.