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| 一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 | |
| 郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 陈 微; 周文君; 陈良惠 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-03-03 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。 |
| 申请日期 | 2008-08-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810118964.0 |
| 专利代理人 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13374 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法[P]. 2010-08-12. |
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