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The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Thick Sio2 Layer  Porous Silicon  Sio2/si Waveguide Device  Wave-guides  Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：928/317  |  提交时间：2010/08/12