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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JL (Yu J. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Jiang CY (Jiang C. Y.);  Jia CH (Jia C. H.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu J;  Xu PF;  Zhu YG;  Meng HJ;  Chen L;  Wang WZ;  Zhang XH;  Zhao JH;  Pan GQ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou B;  Pan SW;  Chen R;  Chen SY;  Li C;  Lai HK;  Yu;  JZ;  Zhu XF;  Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao Lei);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: leizhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Q;  Zhang JC;  Huang Y;  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Li DY;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou CL;  Guo LP;  Jia QJ;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Wang YT;  Zheng XH;  Zhang BS;  Chen J;  Feng G;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Wang XX;  Zeng YP;  Wang YT;  Wang BQ;  Pan L;  Wu J;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch EEE,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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