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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song HP (Song Huaping)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Yang A (Yang Anli)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Liu JM (Liu Jianming)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Song, HP, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW (Zhao You-Wen)
;
Dong ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang MQ
;
Huang YZ
;
Chen Q
;
Cai ZP
;
Wang, MQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1405/300
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17