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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  任敬川
Adobe PDF(3047Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：726/12  |  提交时间：2016/06/03
Ii-vi族半导体  分子束外延  Znsete  单晶薄膜  掺杂  
II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  张理嫩
Adobe PDF(4436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1126/40  |  提交时间：2014/06/04
Ii-vi族半导体  分子束外延  离子注入  计算模拟  P型掺杂