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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu GQ;  Kong X;  Wang YQ;  Wan L;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Hu GQ,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu GQ;  Kong X;  Wan L;  Wang YQ;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Hu GQ,Chinese Acad Sci,Beijing Lab Electron Microscopy,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu GQ;  Kong X;  Wan L;  Wang YQ;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Hu GQ,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 2724,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang QY;  Wang J;  Yu YH;  Liu ZL;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Li DB;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Gong Q;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Lin LY;  Zhang FF;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,Beijing 100083,Peoples R China.
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