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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia HB (Xia Han-Bai)
;
Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Li, SS, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
Donor
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12