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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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T. D. C. Higgs
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S. Bonetti
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H. Ohldag
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N. Banerjee
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X. L. Wang
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A. J. Rosenberg
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Z. Cai
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J. H. Zhao
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K. A. Moler
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J. W. A. Robinson
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期刊论文
作者:
F. Liang
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P. Chen
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D. G. Zhao
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D. S. Jiang
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Z. J. Zhao
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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J. Yang
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X. J. Li
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H. Yang
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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期刊论文
作者:
P. Chen
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D. G. Zhao
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D. S. Jiang
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J. J. Zhu
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Z. S. Liu
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J. Yang
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X. Li
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L. C. Le
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X. G. He
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W. Liu
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X. J. Li
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F. Liang
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B. S. Zhang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
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期刊论文
作者:
S. Liu
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D. Lu
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R. Zhang
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L. Zhao
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W. Wang
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R. Broeke
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C. Ji
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提交时间:2017/03/10
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期刊论文
作者:
P. Y. Zhou
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X. F. Wu
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K. Ding
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X. M. Dou
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G. W. Zha
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H. Q. Ni
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Z. C. Niu
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H. J. Zhu
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D. S. Jiang
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C. L. Zhao
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B. Q. Sun
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期刊论文
作者:
X. LI
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Z. S. LIU
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D. G. ZHAO
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P. CHEN
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J. J. ZHU
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J. YANG
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X. J. LI
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F. LIANG
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H. YANG
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期刊论文
作者:
Nie, S. H.
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Chin, Y. Y.
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Tung, J. C.
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Lu, J.
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Meng, K. K.
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Pan, D.
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Xu, Y. B.
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Zhao, J. H.
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提交时间:2014/03/26
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期刊论文
作者:
Zhang JC (Zhang, J. C.)
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Liu FQ (Liu, F. Q.)
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Wang LJ (Wang, L. J.)
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Zhao LH (Zhao, L. H.)
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Liu WF (Liu, W. F.)
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Liu JQ (Liu, J. Q.)
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Wang ZG (Wang, Z. G.)
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提交时间:2013/03/26
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期刊论文
作者:
Zhao CW (Zhao C. W.)
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Xing YM (Xing Y. M.)
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Yu JZ (Yu J. Z.)
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Han GQ (Han G. Q.)
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提交时间:2010/09/07
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide