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中国科学院半导体研究所机构知识库
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提交时间:2018/06/15
锑化物异质结构的材料生长及性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
张雨溦
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提交时间:2014/11/18
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期刊论文
作者:
Zhang, Yuwei
;
Zhang, Yang
;
Guan, Min
;
Cui, Lijie
;
Wang, Chengyan
;
Zeng, Yiping
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提交时间:2015/03/20
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期刊论文
作者:
Zhang, Yuwei
;
Zhang, Yang
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Wang, Chengyan
;
Zeng, Yiping
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yuwei
;
Zhang, Yang
;
Guan, Min
;
Cui, Lijie
;
Wang, Chengyan
;
Zeng, Yiping
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提交时间:2014/03/26
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期刊论文
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zhang, Yuwei
;
Wang, Baoqiang
;
Zhu, Zhanping
;
Zeng, Yiping
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提交时间:2013/05/07
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
张雨溦
;
张杨
;
曾一平
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提交时间:2012/08/29