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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Yao;   Wu, Dongliang;   Zhou, Jiangfan;   Wen, Huihui;   Liu, Zhanwei;   Wang, Qinghua;   Liu, Chao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Wen;   Zhehong Liu;   Yu Zhang;   Congxin Xia;   Baoxing Zhai;   Xinhui Zhang;   Guihao Zhai;   Chao Shen;   Peng He;   Ruiqing Cheng;   Lei Yin;   Yuyu Yao;   Marshet Getaye Sendeku;   Zhenxing Wang;   Xubing Ye;   Chuansheng Liu;   Chao Jiang;   Chongxin Shan;   Youwen Long;   Jun He
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guan-Nan Wei;  Qing-Hai Tan;  Xing Dai;  Qi Feng;  Wen-Gang Luo;  Yu Sheng;  Kai Wang;  Wen-Wu Pan;  Li-Yao Zhang;  Shu-Min Wang;  Kai-You Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Zhi Jia;  Wen Kai Lou;  Fang Cheng;  Xiong Long Wang;  Jiang Hong Yao;  Ning Dai;  Hai Qing Lin;  Kai Chang
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柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层电池隧穿复合结研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  姚文杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Shi-Yong;  Zeng, Xiang-Bo;  Peng, Wen-Bo;  Yao, Wen-Jie;  Xie, Xiao-Bing;  Yang, Ping;  Wang, Chao;  Wang, Zhan-Guo;  Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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