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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai YM; Wang J; Wang Y ; Zhang H; Chen NF; Yao JX; Huang TM; Wang YS; Zhang XW; Wu JL; Bai, YM, N China. Elect Power Univ, New & Renewable Energy Beijing Key Lab, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai YM; Zhang H; Wang J; Chen NF; Yao JX; Huang TM; Zhang XW; Yin ZG; Fu Z; Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai YM; Wang J; Chen NF; Yao JX; Zhang XW; Yin ZG; Zhang H; Huang TM; N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@ncepu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai YM (Bai YiMing); Wang J (Wang Jun); Chen NF (Chen NuoFu); Yao JX (Yao JianXi); Yin ZG (Yin ZhiGang); Zhang H (Zhang Han); Zhang XW (Zhang XingWang); Huang TM (Huang TianMao); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 何金孝; 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 植物补光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠,宋昌斌; 姚然; 卢鹏志; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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