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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Anli Xu; Peng He; Caichao Ye; Zhiduo Liu; Bingli Gu; Bo Gao; Yongqiang Li; Hui Dong; Da Chen; Gang Wang; Siwei Yang; Guqiao Ding
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng GL (Zheng Gaolin); Wang J (Wang Jun); Liu XL (Liu Xianglin); Yang AL (Yang Anli); Song HP (Song Huaping); Guo Y (Guo Yan); Wei HY (Wei Hongyuan); Jiao CM (Jiao Chunmei); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Zheng, GL, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhenggl@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 杨安丽
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Znmgo Mocvd 纳米结构 异质结 价带差 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP (Song Huaping); Guo Y (Guo Yan); Yang A (Yang Anli); Wei HY (Wei Hongyuan); Xu XQ (Xu Xiaoqing); Liu JM (Liu Jianming); Yang SY (Yang Shaoyan); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Song, HP, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: CAI Fangfang; WEI Hongyan; FAN Haibo; YANG Anli; ZHANG Panfeng; LIU Xianglin
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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