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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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会议论文 [1]
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2008 [1]
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出处
2008 3RD I... [1]
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CPCI-S [1]
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IEEE.; Sta... [1]
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Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
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