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中国科学院半导体研究所机构知识库
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高性能硅基锗光电探测器的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
薛海韵
Adobe PDF(3308Kb)
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浏览/下载:3104/135
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提交时间:2011/06/01
硅基光子学
硅基锗光电探测器
吸收区倍增区分离的雪崩光电二极管
共振腔增强型
波导型
高性能硅基锗光探测器的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
薛海韵
Adobe PDF(3308Kb)
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浏览/下载:1622/76
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提交时间:2011/06/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xue HY (Xue Hai-Yun)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Yu YD (Yu Yu-De)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Xue, HY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuehy@semi.ac.cn
;
cbw@semi.ac.cn
Adobe PDF(427Kb)
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浏览/下载:1137/245
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提交时间:2010/11/01
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xue Hai-Yun
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
;
Yu Yu-De
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:838/272
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提交时间:2010/11/23
GeSn合金的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
成步文
;
薛春来
;
左玉华
;
汪巍
;
胡炜玄
;
苏少坚
;
白安琪
;
薛海韵
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浏览/下载:2187/217
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提交时间:2011/08/30
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