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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
XiaoyeWang
;
WennaDu
;
XiaoguangYang
;
XingwangZhang
;
TaoYang
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提交时间:2016/03/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG
;
Zhang XW
;
Wang JX
;
You JB
;
Yin ZG
;
Dong JJ
;
Cui B
;
Wowchak AM
;
Dabiran AM
;
Chow PP
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Wang JX
;
Dong JJ
;
Wang ZG
;
Qu S
;
Cui B
;
Wowchak AM
;
Dabiran AM
;
Chow PP
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Tan HR
;
Zhang SG
;
Fan YM
;
Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
屈盛
;
张兴旺
;
毛和璜
;
余银祥
;
韩增华
;
汤叶华
;
周春兰
;
王文静
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bai YM
;
Wang J
;
Wang Y
;
Zhang H
;
Chen NF
;
Yao JX
;
Huang TM
;
Wang YS
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Bai, YM, N China. Elect Power Univ, New & Renewable Energy Beijing Key Lab, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang J
;
You JB
;
Chen CC
;
Hsu WC
;
Tan HR
;
Zhang XW
;
Hong ZR
;
Yang Y
;
Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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浏览/下载:1505/359
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bai YM
;
Zhang H
;
Wang J
;
Chen NF
;
Yao JX
;
Huang TM
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Fu Z
;
Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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浏览/下载:1139/342
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提交时间:2011/07/05
降低立方氮化硼薄膜应力的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
范亚明
;
张兴旺
;
谭海仁
;
陈诺夫
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提交时间:2010/08/12
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:
张兴旺
;
蔡培锋
;
游经碧
;
范亚明
;
高 云
;
陈诺夫
Adobe PDF(525Kb)
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提交时间:2010/08/12