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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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提交时间:2022/05/10
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期刊论文
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Weixuan Zhang
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提交时间:2021/05/26
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Xin Xie
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Haiqiao Ni
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Can Wang
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Kuijuan Jin
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Xiulai Xu
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提交时间:2021/06/28
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
胡炜玄
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成步文
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张广泽
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提交时间:2011/08/30
在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:
苏少坚
;
汪巍
;
成步文
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王启明
;
张广泽
;
胡炜玄
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白安琪
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薛春来
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左玉华
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提交时间:2011/08/30