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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wang QY;  Wang JH;  Deng HF;  Lin LY;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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Neutron Irradiation  Annealing  Defects In Silicon  Spectra  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Wang JH;  Deng HF;  Lin LY;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Mat Sci Ctr,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang QY;  Wang J;  Yu YH;  Liu ZL;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wang QY;  Tan LW;  Wang J;  Yu YH;  Lin LY;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Epitaxial-growth  Al2o3  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Tan LW;  Wang J;  Yu YH;  Lin LY;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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