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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [13]
作者
梁松 [1]
文献类型
期刊论文 [8]
会议论文 [5]
发表日期
2009 [2]
2008 [3]
1998 [8]
语种
英语 [13]
出处
JOURNAL OF... [3]
2008 IEEE ... [2]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Jia LH
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Liu Y
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan21@semi.ac.cn
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浏览/下载:952/284
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提交时间:2010/03/08
Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Li JS
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Wang W
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1716/372
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提交时间:2010/03/09
Tuning Range
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen DB
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Wang BJ
;
Zhang YL
;
Liu Y
;
Kong DH
;
Zhang W
;
Wang H
;
Wang LS
;
Sun Y
;
Zhang YX
;
Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
P-i-n/hbt
Wave-guide
Inp/ingaas
Frequency
Hbt
Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Yue GZ
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Wang CX
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1131/0
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提交时间:2010/10/29
Metastability
Antisite
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1066/0
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提交时间:2010/10/29
Sapphire
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang YT
;
Cheng LS
;
Zhang Z
;
Wang LS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lswang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:911/207
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu XL
;
Lu DC
;
Wang LS
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lin LY
;
Liu XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12